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據(jù)悉，膜結(jié)構(gòu)充電樁中的存儲模塊分為兩部分：一部分是fm24clo4b，用于存儲直流充電樁系統(tǒng)的一些重要參數(shù)；另一部分是大容量at45db161dtu，它將歷史數(shù)據(jù)存儲在充電交易記錄中。
為了確保系統(tǒng)重要參數(shù)存儲的牢靠性，防止出現(xiàn)數(shù)據(jù)的丟失或者誤操作，在本系統(tǒng)的設(shè)計中，我們放棄了使用單片機內(nèi)部的EEPROM，采用了優(yōu)良的數(shù)據(jù)存儲電路。充電點存儲采用鐵電存儲器fm24clo4b，芯片通過HIC串行擴展總線與MCU進行數(shù)據(jù)通信，SCL提供時鐘，SDA進行數(shù)據(jù)輸送，采用全雙工模式進行數(shù)據(jù)交換。芯片為非易失性鐵電隨機串行存儲器，內(nèi)部具有512字節(jié)大小的存儲空間，讀寫次數(shù)達100億次，掉電數(shù)據(jù)能保存10年，總線速度可以達到1MHz，而且寫數(shù)據(jù)無延時。充電樁的工作電壓為3.3V，工作電流為150uA，采用8腳的SOIC封裝。

為了防止在膜結(jié)構(gòu)充電樁系統(tǒng)運行或是在上電途中呈現(xiàn)對此芯片的誤寫入，系統(tǒng)對它運用了可控制的供電形式，即當(dāng)MCU工作穩(wěn)定且需要讀寫數(shù)據(jù)時才對芯片進行上電。為了存儲充電交易，記錄歷史測量數(shù)據(jù)，系統(tǒng)選用大容量存儲器AT45DB161DTU。該存儲器使用了模擬SPI（串行了外設(shè)接口）進行了數(shù)據(jù)的讀寫。芯片AT45DB161DTU是采用串行接口進行數(shù)據(jù)交換的閃存，供電電壓低，適合應(yīng)用于數(shù)字，圖像，軟件程序等文件的存儲。其內(nèi)存空間分為8192頁，每頁可以存儲512個字節(jié)大小的數(shù)據(jù)。AT45DB161DTU可支持快速的串行接口，能夠執(zhí)行速度較高的讀寫操作。此膜結(jié)構(gòu)充電樁所用的快接口能兼容SPI數(shù)據(jù)交換的格式，較高的運作頻率是為66Hz，運用了28腳的SOIC進行封裝。
以上就是為大家介紹的關(guān)于膜結(jié)構(gòu)充電樁的全部內(nèi)容，希望對大家有所幫助。如果您想要了解更多的知識，您可以瀏覽我們的網(wǎng)站，我們會為您提供更專業(yè)的信息。也可以給小編留言哦，我們將24小時為您提供在線服務(wù)。

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